东芝推出沟道功率——“”

KiCad 华秋发行版 new

供应链、设计、制造，一体成就未来

华秋PCB

高可靠多层板制造商

华秋SMT

高可靠一站式PCBA智造商

华秋商城

自营现货电子元器件商城

PCB Layout

高多层、高密度产品设计

钢网制造

专注高品质钢网制造

BOM配单

专业的一站式采购解决方案

华秋DFM

一键分析设计隐患

华秋认证

认证检测无可置疑

发资料

发帖

提问

发视频

扫码添加小助手

加入工程师交流群

”参考设计。

东芝将继续扩大自身的功率MOSFET产品线，以降低功率损耗、提高电源效率，并助力改善设备效率。

应用

工业设备电源，如用于数据中心和通信基站的电源

开关电源(高效率DC-DC转换器等)

特性

业界领先的[2]低导通电阻：RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)(VGS=10V)

业界领先的[2]低反向恢复电荷：Qrr=34nC(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)

高额定结温：Tch(最大值)=175℃

主要规格

(除非另有说明，Ta=25℃)

参考设计：“用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器”

参考设计：“采用MOSFET的3相多电平逆变器”

注：

[1] 截至2023年3月的数据。

[2] 截至2023年3月，与其他150V产品的对比。东芝调查。

[3] 采用当前一代U-MOSVIII-H工艺的150V产品。

[4] 产品采用与TPH9R00CQ5相同的生产工艺，并具有相同的电压和导通电阻。

[6] 如果新产品用于不执行反向恢复操作的电路，则功耗相当于TPH9R00CQH的水平。

审核编辑：汤梓红

浏览量

浏览量

浏览量

浏览量

原文标题：东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率

扫码添加小助手

加入工程师交流群

下载发烧友APP

电子发烧友观察

长沙市望城经济技术开发区航空路6号手机智能终端产业园2号厂房3层（0731-88081133）